温控范围：-60℃ ~ 180℃　控温精度：±0.5~1℃（指介质出口/循环液控温点；DUT 壳温受 Socket 热阻影响）　
介质：低粘度硅油（需选用耐温 ≥200℃、倾点 ≤-60℃ 的型号；乙二醇类介质不适用 -60℃ 深冷工况）

一、背景

FT（Final Test）与 SLT（System Level Test）是芯片封装后的出厂终检，需在低温/常温/高温多台阶做全参数扫描，剔除参数漂移、虚焊、封装开裂等缺陷。车规"三温"标准为 -40/25/125℃，本设备控温范围 -60~180℃，可完全覆盖该标准并留有裕量。

二、应用场景

1. 宽温三点 FT 扫描（控温点 -60/25/180℃，覆盖车规标准 -40/25/125℃）：验证阈值电压、漏电流、增益带宽、建立时间等。

1. 车规芯片 SLT：-60℃ 冷启动、180℃ 满载及温循后稳定性（单点 30min~2h）。

1. 功能边界摸底：-60~180℃ 连续变温，定位失效温度点。

三、适用芯片

消费电子（AP/射频/TWS/可穿戴）、汽车电子（MCU/BMS/栅驱/传感器）、工业与 IoT（MCU/收发器/隔离器）、存储（NAND/DDR/EEPROM）。

四、实施方案

· Socket 温控：循环液经均温铜板/铝热沉间接控温，高功耗芯片可加顶部导热压盖。介质 低粘度硅油（耐温≥200℃、倾点≤-60℃）；流量 25~40 L/min；管路 ≤3m 保温软管；均温板均匀性 ±1.5℃（4 Site）/ ±2.5℃（8 Site）。

· 老化板温控：85~180℃ 持续温控，多板共用、分液器均流。

· SLT 开发板温控：整板级均温铝板控温，多芯片系统需全覆盖热源。

五、技术要点

· 结温推算：Tc = Tj − Pd × Rth，设定温度需低于目标壳温 3~8℃ 补偿热阻。

· 换温效率：建议升降温 ≥8℃/min，单点稳定 ≤5min（视测试板热容）。

· 防静电/隔离：管路接地；高压场景双重绝缘。

· 长稳：SLT 总时长 2~4h、连续数百批；建议采用复叠制冷机型（如 R404A/R507 + R23 两级复叠，可达 -60℃ 蒸发温度），带液位监测、补液、断电恢复报警。

六、温度覆盖